91九色丨porny丨极品女神,婷婷五月深深久久精品,A级毛片毛片免费观看久,蜜桃1

新聞詳情

三菱igbt結(jié)構(gòu)特點(diǎn)

日期：2024-12-22 13:47
瀏覽次數(shù)：335
摘要： 三菱igbt結(jié)構(gòu)特點(diǎn) 動(dòng)態(tài)特性 動(dòng)態(tài)特性又稱開關(guān)特性，三菱igbt的開關(guān)特性分為兩大部分：一是開關(guān)速度，主要指標(biāo)是開關(guān)過程中各部分時(shí)間；另一個(gè)是開關(guān)過程中的損耗。 三菱igbt的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET 的電流成為igbt總電流的主要部分。此時(shí)，通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示：： Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh 式中Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——擴(kuò)展...
三菱igbt結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
動(dòng)態(tài)特性
動(dòng)態(tài)特性又稱開關(guān)特性，三菱igbt的開關(guān)特性分為兩大部分：一是開關(guān)速度，主要指標(biāo)是開關(guān)過程中各部分時(shí)間；另一個(gè)是開關(guān)過程中的損耗。
三菱igbt的開關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT 處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP 晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B 值極低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET 的電流成為igbt總電流的主要部分。此時(shí)，通態(tài)電壓Uds(on) 可用下式表示：：
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh
式中Uj1 —— JI 結(jié)的正向電壓，其值為0.7 ～1V ；Udr ——擴(kuò)展電阻Rdr 上的壓降；Roh ——溝道電阻。
通態(tài)電流Ids 可用下式表示：
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流過MOSFET 的電流。

尊敬的客戶：

本公司還有英飛凌igbt、英飛凌模塊、西門康IGBT模塊等產(chǎn)品，您可以通過網(wǎng)頁(yè)撥打本公司的服務(wù)電話了解更多產(chǎn)品的詳細(xì)信息，至善至美的服務(wù)是我們的追求，歡迎新老客戶放心選購(gòu)自己心儀產(chǎn)品，我們將竭誠(chéng)為您服務(wù)！

京公網(wǎng)安備 11010502035422號(hào)