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igbt模塊電流的選擇方法

日期:2024-12-22 08:58
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摘要:
 
      大多數(shù)IGBT模塊工作在交流電網(wǎng)通過單相或三相整流后的直流母線電壓下,所以,通常IGBT模塊的工作電壓(600V、1200V、1700V)均對(duì)應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級(jí)??紤]到過載,電網(wǎng)波動(dòng),開關(guān)過程引起的電壓尖峰等因素,通常電力電子設(shè)備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收等設(shè)計(jì)比較好,就可以使用較低耐壓的IGBT模塊承受較高的直流母線電壓。
      半導(dǎo)體器件具有溫度敏感性,因此,IGBT模塊標(biāo)稱電流與溫度的關(guān)系比較大。隨著殼溫的上升,IGBT模塊可利用的電流就會(huì)下降,英飛凌IGBT模塊是按殼溫Tc=80℃或100℃來標(biāo)稱其*大允許通過的集電極電流(Ic).對(duì)于英飛凌 NPT-IGBT芯片來說,當(dāng)Tc<25℃時(shí),這個(gè)電流值通常是一個(gè)恒定值,但是,隨著Tc的增加,這個(gè)可利用的電流值下降較快,有些IGBT品牌是按照Tc=25℃的電流值來標(biāo)稱型號(hào),這個(gè)需要特別注意。

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